دیتاشیت SIR680DP-T1-RE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SIR680DP-T1-RE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 106.766 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 13 |
دانلود دیتاشیت SIR680DP-T1-RE3 |
SIR680DP-T1-RE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SIR680DP-T1-RE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 104W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 81nC@7.5V
- Drain Source Voltage (Vdss): 80V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 5150pF@40V
- Continuous Drain Current (Id): 100A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.9mΩ@10V,20A
- Package: PowerPAK-SO-8
- Manufacturer: Vishay Intertech
